产品属性 | 属性值 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 详细信息 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PQFN-6 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 13 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.4 V |
Qg-栅极电荷: | 6.9 nC |
*小工作温度: | - 55 C |
*大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2.1 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | StrongIRFET |
封装: | Reel |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
商标: | Infineon / IR |
配置: | Single |
高度: | 0.9 mm |
长度: | 2 mm |
产品类型: | MOSFET |
系列: | P-Channel Power Mosfet |
工厂包装数量: | 4000 |
子类别: | MOSFETs |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 2 mm |
零件号别名: | IRFHS9301TRPBF SP001556616 |
单位重量: | 42.819 mg |